国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司申请一项名为半导体结构以及其形成方法的专利,公开号CN 118900619 A,申请日期为
11月18-21日,IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展将在苏州国际博览中心举办。“国创中心(苏州)”诚挚邀请产业同仁共聚论坛,莅临B08-B09号展位参观交流、洽谈合作。
国家知识产权局信息显示,南京南瑞半导体有限公司申请一项名为一种沟槽型SiC器件及其制备方法的专利,公开号CN 118888594 A,申
国家知识产权局信息显示,安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为半导体器件的处理方法及半导体器件的专利,公开号CN 118888436
国家知识产权局信息显示,飞锃半导体(上海)有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利,公开号 CN 118888448 A,申请
国家知识产权局信息显示,上海汉虹精密机械有限公司申请一项名为一种单晶炉碳化硅炉专用的KF40电动蝶阀的专利,公开号 CN 118881
国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为一种光刻机对准方法的专利,公开号CN 118838133 A,申请日期为
国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为掩膜版图形及其优化方法的专利,公开号 CN 118838110 A,申请日期
国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构及制备方法的专利,公开号CN 118829192 A,申请日期为2023
国家知识产权局信息显示,深圳市联微半导体设备有限公司取得一项名为定位装置的专利,授权公告号CN 221885077 U,申请日期为2024
作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉,将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体,小米通讯技术,汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心,中国科学技术大学、云塔电子,能讯高能半导体,中国科学院半导体研究所,九峰山实验室,江南大学,中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。
国家知识产权局信息显示,山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利,授权公告号CN 2218
国家知识产权局信息显示,汉斯半导体(江苏)有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利,授权公告号 CN 221871
工业和信息化部、国家发展改革委、财政部、国务院国资委、市场监管总局、国家数据局等六部门近日联合印发通知,部署开展2024年度
国家知识产权局信息显示,苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利,公开号 C
国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为光刻机焦距监控方法、焦距监控掩膜版及其形成方法的专
国家知识产权局信息显示,苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利,公开号 CN 118817
国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利,公开号 CN 11876299
北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会关于印发 《北京市技术转移机构及技术经理人登记办法》的通知
财政部 税务总局 科技部关于加大支持科技创新税前扣除力度的公告
北京:发布<2023年北京市支持中小企业发展资金实施指南>的通知(征求意见稿)》公开征集意见的通知
顺义区“十四五”时期科技创新发展规划
专利和商标审查“十四五”规划
国家及各省市促进科技成果转化政策汇编
顺义区创业摇篮计划支持政策实施办法
《顺义区促进高端制造业和先进软件信息业高质量发展的扶持办法》重磅发布
北京新政:加快推进北京专精特新专板建设,推动更多优质项目落地