国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及制备方法”的专利，公开号CN 118829192 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，半导体结构包括：基底，基底内具有沿第一方向延伸的位线；半导体柱，半导体柱位于基底内，半导体柱与位线电连接；半导体柱包括沟道区以及位于沟道区两侧的两个掺杂区，两个掺杂区的其中一掺杂区与位线电连接；沟道区在两个掺杂区的每一掺杂区的正投影均位于每一掺杂区内字线字线沿第二方向延伸，字线位于基底内，字线环绕沟道区；存储结构，存储结构位于基底上，存储结构与两个掺杂区的另一掺杂区电连接；其中，第一方向与第二方向相交。公开的半导体结构至制备方法至少可以提高集成电路的存储密度。