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PowerAmerica执行董事兼首席技术官Victor Veliadis将出席论坛并做大会报告，分享“加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程”，并将在专题技术分会上，继续分享“在硅晶圆厂中制造SiC”的研究成果。

中电四公司成功中标北京天科合达半导体股份有限公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（1#生产厂房等12项）”，中标金额：1159022898.60元。

天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法，公开号 CN2

9月5日，中国电科在官微透露，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再次获得突破。据悉，此次全新升级的8英寸碳化

国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

导体项目、安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目、全芯微电子半导体高端设备研发制造基地项目、辽宁恩微芯片封装测试项目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化铝项目，日本航空电子高端电子元器件项目、露笑科技第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目和大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目迎来新进展。

天眼查显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司近日取得一项名为一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底的专利，授

业内人士表示，预计未来两年中国碳化硅（SiC）芯片价格将下降高达30%。

7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业北京芯合半导体有限公司（以下简称芯合半导体）发布自主研发生产

5月31日，欧盟委员会批准意大利政府对意法半导体总计20亿欧元的补贴计划，用于一项总投资50亿欧元的碳化硅微芯片制造工厂。这是

6月22日-23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会在济南召开。 “碳化硅晶体技术及其应用”平行论坛上，实力派嘉宾代表们深入研讨，分享相关技术最新研究成果，探讨发展趋势与前沿，观点交互，碰撞激发新的思路，共同促进产业技术发展。

年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻！

合盛硅业董事&合盛新材料总经理浩瀚表示,合盛新材从2018年开始正式进军碳化硅产业,目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶体生长、衬底加工以及芯片外延等全产业链核心工艺技术,突破关键材料(多孔石墨、涂层材料)和装备的技术壁垒,6英寸衬底和外延片已得到国内多家下游器件客户的验证,8英寸衬底研发进展顺利。

在本月7日的中国汽车重庆论坛上，比亚迪品牌及公关处总经理李云飞表示，比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂。李云飞在访

碳化硅功率器件具备优越的耐高压、耐高温、低损耗等特性，解决了传统硅基器件难以满足的性能需求，受到市场广泛欢迎。在过去1年多的时间里，国内碳化硅产业经历了快速发展。

意法半导体（简称 ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。

近日，泰科天润披露了最新6英寸SiC电力电子器件产业化项目环境影响报告表。文件显示，泰科天润6英寸碳化硅电力电子器件产业化项

2024年4月8-11日，国内化合物半导体领域规模最大、规格最高的标杆性展会2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会将在武

科友半导体官微消息，2024年3月27日，科友半导体与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展八英寸碳化硅完美籽晶的项目合作。

长江日报3月26日讯（记者 李琴 通讯员 张希为）激光飞旋，智能化生产线上，一片碳化硅晶圆完成了切割，崩边尺寸在5微米以内，达