6月18日，在长飞先进武汉基地封顶仪式现场，随着最后一斗混凝土向晶圆制造厂房楼顶完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻！

作为武汉新城诞生的第一个项目，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

自2023年9月1日正式动工以来，按照“安全第一、质量第一、速度第一”三大原则，武汉基地历经近300个日夜奋战终于完成主体结构封顶。接下来，项目将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。

武汉基地是长飞先进发展战略中至关重要的一环，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。不仅如此，对行业而言，项目建成后，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。

长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹在致辞时表示，武汉基地项目自2023年9月1日正式动工以来，在所有参与方全力支持下取得了“安全零事故、工程加速度”的阶段性成果，目前已进入质量管理关键阶段。希望全体人员全力以赴，以更加饱满的精神状态投入到项目建设过程中，保障武汉基地早日投产，为成为世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂目标打下坚实根基。

纵观全球，随着新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的持续渗透，碳化硅功率器件市场正迎来全面爆发阶段。乘着行业发展的东风，长飞先进也将不断加快基础设施建设步伐，全面提升生产工艺水平，同时联动上下游企业开展技术攻关，共同促进国内碳化硅产业繁荣发展。