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氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防

半导体产业网获悉：近日，阿尔斯通在华合资企业江苏新誉阿尔斯通牵引系统有限公司（下称ANP）研发生产的新一代碳化硅永磁电机牵

近日，中国电科55所牵头研发的高性能高可靠碳化硅 MOSFET技术及应用成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新

自半导体诞生以来，半导体材料便不断升级。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电

随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从

苏州高视半导体技术有限公司邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日，2023碳化硅关键装备、

德智新材邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日，2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导

2023年5月5-7日，2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛将在中国长沙圣爵菲斯大酒店举办。科友半导体诚邀您莅临展位

宁波恒普真空科技股份有限公司邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日，2023碳化硅关键装备

2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛（CASICON 2023）尊敬的各有关单位：第三代半导体是实现双碳目标、东数西

3月24日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江区正式签约共建碳化硅联合研发中心合作协议。旨在推动碳化硅技术

碳化硅作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电

2023年2月7-10日，开年盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于苏州胜利召开。

以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用。材料水平直接决定了器件的性能。对作为新材料的

开年第三代半导体盛会，凝心聚力再启新征程！ 第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）

碳化硅晶体是一种性能优异的半导体材料，在信息、交通、能源、航空、航天等领域具有重要应用。春节期间，中科院物理研究所科研团

1月11日，据爱仕特官微透露，爱仕特完成超3亿元战略融资。这是继武岳峰资本李峰总投后，武岳峰资本武平总领投爱仕特A+轮融资

碳化硅是第三代半导体产业发展重要的基础材料。碳化硅器件以其优异的耐高压、耐高频、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电

近日，美国物理联合会(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）在线发表了上

2022年11月7-10日， 一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 202