9月5日，中国电科在官微透露，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再次获得突破。

据悉，此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延设备，具备更快、更好、更稳定的特点，通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术，设备自动化性能更加成熟，提升产品生产效率。设备还成功引入新的掺杂技术，进一步提升产品良率，持续降低生产成本。

湖南省科技事务中心还透露，中国电科48所研发的8英寸设备在6英寸设备的基础上进行创新，其外延层的厚度以及掺杂浓度的均匀性，都得到极大的提升：8英寸生长厚度均匀性小于1.5%，掺杂浓度均匀性小于4%，表面致命缺陷小于0.4个/cm²。