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以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。其中，氧

近日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通

前不久商务部宣布对镓、锗相关物项实施出口管制，未经许可不得出口，从8月1日开始这个限制正式生效了。这两种都是半导体行业中的

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指

功率与光电半导体器件的设计与集成应用在提高能源利用效率、推动通信技术进步、促进科学研究和医疗技术革新等方面发挥着至关重要

7月26-28日，江苏省第三代半导体研究院邀您参加在西安召开的2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛。CASICON 2023西安论坛

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

7月14日，北京市经济和信息化局发布了工业和信息化部组织的第五批专精特新小巨人企业公示名单，243家企业上榜。从名单来看，不少

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速

据悉，近日，《科学通报》以《模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物》为题，在线发表了松山湖材料实验室/北

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

近几年新能源车的爆发，极大地促进了IGBT市场的发展。随着全球电动车的销量提升，新能源汽车的不断普及，对于充电桩的需求日益增

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

第三届紫外LED国际会议暨LED产业发展推进大会(中国长治)将于9月5-7日召开。本届论坛由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发

近日，中国电科43所活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先

第三代半导体产业技术战略联盟标准T/CASAS 021202X《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》已完

【超38亿元A轮股权融资创历史】近日，安徽长飞先进半导体有限公司正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体

随着电力电子应用领域的不断扩大和需求的增长，绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）作为功率电子器件的核心之一，是能源变换与传输的