近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。

期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，西安电子科技大学 微电子学院副教授孙汝军带来了”氧化镓的电子态缺陷研究”的主题报告，宽带隙和超宽带隙半导体的二极管和晶体管可以在关断状态下在小距离上保持大电压，而能掺杂材料的能力降低了导通状态下的电阻率。具有4.8 eV带隙的单斜晶系β-Ga2O3能制备出大尺寸单晶形式，是高压电力电子器件有前途的候选者。报告指出实现 β-Ga2O3应用的关键是了解和控制点缺陷和掺杂，并分享了杂质缺陷对载流子的影响以及界面处缺陷的研究发现和成果。其中研究发现晶体各向异性、共振能级转移和声子辅助隧穿改变了这些载流子与缺陷相互作用。

CASICON 系列活动简介

 “先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）