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錼创科技启动上市以来的首次募资计划

赛微电子（SZ 300456）12月6日午间发布公告，为避免相关信息对广大投资者造成误导，现予以澄清说明。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，专家们齐聚，共同探讨碳化硅功率器件及其封装技术的发展。

俄罗斯晶圆厂Angstrom-T在近期已经宣布破产。

2025年4月23-25日，九峰山论坛将在武汉光谷科技会展中心再次启航，现诚挚邀请全球化合物半导体技术领域的专家学者、行业领航者及创新先锋莅临盛会，发表精彩演讲，共享智慧火花，携手点亮化合物半导体行业的辉煌未来。

从2022年初至今，培育钻石毛坯价格累计跌幅高达85%。

期间，“超宽禁带半导体技术 I”分会上，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告，讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题，分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。

在来自全球的4000家企业已注册参展的档口，出了“幺蛾子”，大量中国企业人员签证申请被拒

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

邦德激光全球总部基地智能工厂正式启用

“第三代半导体标准与检测研讨会”上，嘉宾们齐聚共同探讨第三代半导体标准与检测相关的最新进展。

维信诺（Visionox）可能会在明年上半年某个时候订购其第8代OLED厂使用的设备。

12月2日，北京赛微电子股份有限公司（简称：赛微电子）在投资者互动平台表示，受外部客观因素影响，拟在合肥高新区投资建设12吋M

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心王新强教授与北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师探测到褶皱二维氮化镓（GaN）的声子行为。

南方科技大学电子与电气工程系讲席教授、纳米科学与应用研究院执行院长孙小卫因其在光电材料和器件领域的贡献当选为IEEE Fellow。

期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

荷兰半导体企业恩智浦 NXP 与台湾地区特殊制程代工厂商世界先进 VIS 双方合资（股权比例为 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡滨尼举行其首座晶圆厂的动土典礼。

何梁何利基金2024年度科学与技术奖评选结果揭晓。

本研究提出了一种能够减轻高功率激光加工中热漂移问题的 4H-SiC 超透镜。

一名三星电子前工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才，加上向中国公司泄漏20纳米DRAM内存芯片技术，遭逮捕并移送检方。