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约2.6亿!东海炭素拟建SiC晶圆

发表于:2024-08-05 来源:半导体产业网 编辑:

 在全球半导体材料市场持续增长的背景下,东海炭素株式会社(以下简称“东海炭素”)今日宣布了一项重大投资计划,旨在加速其多晶碳化硅(SiC)晶圆材料的商业化进程。公司计划投资54亿日元(约合2.6亿人民币),在神奈川县茅崎市建设一条专用的多晶SiC晶圆材料生产线,预计该生产线将于2024年12月完工并投入运营。

东海炭素作为在石墨电极、特碳、负极材料等多领域具有全球影响力的领军企业,近年来不断加大对半导体材料的研发力度。多晶SiC晶圆材料因其优异的物理和化学性能,在功率半导体、电动汽车、智能电网等领域具有广泛的应用前景。此次投资建设专用生产线,标志着东海炭素在半导体材料领域的布局迈出了坚实的一步。

据东海炭素官方介绍,新建的生产线将采用最先进的生产技术和设备,确保多晶SiC晶圆材料的高品质和高产量。通过优化生产工艺和流程,公司旨在提升产品性能,降低成本,以满足市场对高性能半导体材料日益增长的需求。

东海炭素表示,此次投资不仅是对公司技术实力的肯定,更是对未来市场发展的信心体现。随着全球半导体产业的快速发展,多晶SiC晶圆材料的市场需求将持续增长。公司将继续加大研发投入,加强与产业链上下游企业的合作,共同推动半导体材料产业的发展。

此外,东海炭素还透露,公司正在与多家国际知名半导体企业洽谈合作事宜,旨在将多晶SiC晶圆材料应用于更广泛的领域,助力全球半导体产业的升级和转型。

对于此次投资计划,东海炭素高层表示:“我们坚信,通过不断的技术创新和市场拓展,东海炭素将成为全球半导体材料领域的佼佼者。我们将继续秉承‘质量第一、客户至上’的原则,为全球客户提供优质的产品和服务。”

 
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