2024年7月8-9日，“第三代半导体技术与产业链创新发展论坛”在上海新国际博览中心举行，本次论坛由由半导体产业网、第三代半导体产业、慕尼黑展览（上海）有限公司共同主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司协办。  

论坛聚焦第三代半导体产业链“材料-装备-衬底-外延-芯片-封装及模组-应用”等重点环节前沿技术进展，来自业界的诸多知名专家、企业代表进行专题报告分享，聚焦产业链共性关键技术及问题，探讨产业延链-补链-强链发展路径、国内企业产线投资及运行情况、新工艺研发及产业化成果、下游领域发展前景等，助推整个产业链创新发展。 

9日，论坛精彩分享继续，来自苏州实验室、才道精密仪器、上海邦芯半导体、清软微视、上海新微半导体、南京芯干线、茂硕电源、北京晶亦精微、飞锃半导体等嘉宾代表带来精彩主题报告。

苏州实验室副研究员李腾坤

《氨热法氮化镓单晶生长研究进展》

近年来，国际上氨热生长技术发展较快，三菱化学和SixPoint已具备2英寸氮化镓单晶小批量生产的能力，正在突破4英寸氮化镓单晶氨热生长技术。苏州实验室副研究员李腾坤做了“氨热法氮化镓单晶生长研究进展”的主题报告，分享了GaN单晶材料主要生长方法及进展、氨热法GaN单晶生长研究进展等内容。氨热法生长GaN单晶面临着超高压生长装备及复杂的原料装载工艺，生长周期长、封闭生长、不能实时监控，生长速率低，杂质控制，晶体尺寸等问题与挑战，报告介绍了其团队研究及成果，其团队在矿化剂配比、应力控制、晶体生长习性、杂质调控等方面进行了系统探索，实现了各晶面氮化镓的稳定生长；探索了惰性内衬实现高纯GaN单晶生长的可能性；结合装备扩径，实现了2英寸GaN的氨热生长。实现了GaN单晶的Mn、Mg等元素掺杂，相关电学性质还需进一步研究。报告指出，氨热法在氮化镓晶体量产能力和结晶质量上具有一定的优势，但还需要加强氨热法衬底在器件中的应用验证。

江苏才道精密仪器有限公司副总经理朴彦宏

《衬底外延片检测设备国产化》

SiC衬底质量，决定着终端器件的性能、可靠性和稳定性。因此衬底的质量检测是关键环节。在SiC生长过程中形成的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和表面，形成各种表面缺陷，如胡萝卜缺陷、多型夹杂物、划痕等，这些缺陷可能进一步转化产生其他缺陷，从而对SiC器件的性能产生不利影响。因此，对SiC衬底中的缺陷进行精确的检测、识别和统计是衬底片质量监控的关键环节。江苏才道精密仪器有限公司副总经理朴彦宏做了“衬底外延片检测设备国产化”的主题报告，分享了碳化硅衬底缺陷检测技术，涉及碳化硅衬底缺陷检测技术、碳化硅衬底表面粗糙度的检测、外延片载流子寿命检测等内容，以及检测设备国产化进展。报告指出，在第三代半导体领域，尤其是衬底外延两个重要环节，检测很最重要，但检测设备国产化率仍然很低。一是没有大型的行业头牌公司在引领；二是核心部件核心算法确实有壁垒，完全对标有差距；三是缺少机会。检测设备需要“光机电算软”多学科配合的综合能力；考验设备企业的人才储备和技术团队的内部配合度和创新能力，考验设备企业的市场敏锐度和客户开拓能力。报告指出，国产检测设备普遍在核心部件和算法研发、试用、验证阶段。产线上，无人值守自动化批量检测，尚需要时机，需要上游用户给机会。半导体领域，才道精密已经商用化可以批量满足用户需要的设备，涉及原子力显微镜、晶圆测试探针台和晶圆划片机等，致力于成为半导体领域检测设备专业的供应商。

上海邦芯半导体科技有限公司产品应用副总王士京

《功率芯片制造中刻蚀和薄膜沉积技术的应用及解决方案》

上海邦芯半导体科技有限公司产品应用副总王士京功做了“功率芯片制造中刻蚀和薄膜沉积技术的应用及解决方案”的主题报告，分享了芯片制造过程中的刻蚀技术、SiC功率芯片的刻蚀应用场景、应用场景下刻蚀和薄膜沉积的解决方案等内容。邦芯可以提供刻蚀&去胶的全套解决方案、薄膜细分市场的解决方案、集成式解决方案。

清软微视（杭州）科技有限公司市场总监张云飞

《化合物半导体衬底和外延缺陷无损快速检测技术》

清软微视（杭州）科技有限公司市场总监张云飞做了“化合物半导体衬底和外延缺陷无损快速检测技术”的主题报告，分享了其Omega 9880、缺陷表征与分类、高分辨率图像的快速处理、小样本数据合成与真实化技术等。其中，Omega 9880兼容 4/6/8 吋衬底和外延检测，应用于衬底厂、外延厂和芯片厂（来料检）。支持 DIC/明场/多角度暗场/PL成像方式的自由配置组合。适用于透明/半透明/不透明 衬底和外延片表面/侧边/背面缺陷检测等。

上海新微半导体有限公司功率器件研发负责人雷嘉成
《聚焦硅基氮化镓 展望行业“芯”未来》

在高效、高功率密度、低成本应用需求的驱动下，功率半导体迭代发展。GaN功率器件凭借高频、高效和更小体积等优势，在诸多领域展现出了较好的应用前景，市场快速增长。消费类电子、车规和数据中心等为最主要市场，氮化镓市场凭借其优势将可能成为半导体黑马，迎来快速增长。上海新微半导体有限公司功率器件研发负责人雷嘉成做了“聚焦硅基氮化镓 展望行业“芯”未来”的主题报告，分享了氮化镓功率器件技术进展，以及氮化镓功率器件当下应用与发展前景。快充领域作为当前功率氮化镓的最主要的应用领域之一，在未来数年仍具有广阔的市场空间除快充市场外，功率氮化镓在家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车和锂电池等领域同样具有巨大的潜在应用市场。随着时间推移，氮化镓功率器件芯片会过渡到越来越多的终端应用。氮化镓功率器件技术方面，新微半导体将同时布局 E-mode和D-mode解决方案，E-mode的研发量产已近完成。新微半导体通过应力调控、有源层设计等技术，针对多种不同应用场景开发出高质量6吋硅基氮化镓外延工艺，实现了低缺陷密度的硅基氮化镓外延。 其最新6吋硅基氮化镓外延晶圆（D/E-MODE）已满足40V/150V/650V应用，均满足无龟裂、低翘曲、高均匀性、良好的表面形貌和工艺可重复性。此外，外延晶圆在室温和150℃下都具有低垂直漏电流。

南京芯干线科技有限公司应用技术总监刘欢

《第三代功率半导体充换电系统让E-BIKE应用更安全更高效》

南京芯干线科技有限公司应用技术总监刘欢做了“第三代功率半导体充换电系统让E-BIKE应用更安全更高效”的主题报告，短途出行领域，电动两轮车已成为主流出行方式，也对对充电器提出新的要求。使用第三代半导体的充电器具有高效，发热量小、体积小，便携等特点。报告结合第三代半导体特性，分享了第三代功率半导体在充电器中的应用、工程化注意事项及案例等内容。其中工程化涉及驱动的调试、氮化镓功率PCB布局设计、器件并联扩容、PCB板极的测量等。

茂硕电源科技股份有限公司产品经理别必波

《GaN & SiC 何时才能成为主流》

茂硕电源科技股份有限公司产品经理别必波做了“GaN & SiC 何时才能成为主流”的主题报告。当前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体发展备受关注，Yole数据显示，2026年GaN市场规模预计可达6.72亿美元。SiC碳化硅2027年全球SiC功率半导体市场规模有望突破60亿美元。汽车、光伏以及RF射频电源是当前SiC、GaN的几大应用方向，价值、供货周期等因素，目前仍影响SiC功率器件的应用。第三代半导体材料渗透率逐年提升，针对GaN氮化镓应用及SiC碳化硅(+氮化镓)应用，茂硕电源均有相关产品，其第三代器件在MOSO的产品占比10%。氮化镓以中小功率为主，GaN对比普通硅器件，效率更高可以优化体积，同等功率料本增2块左右，价差已较小。SiC相对更贵，目前只适用在大功率产品上。报告认为，GaN & SiC市场增速会加快，未来可期。

北京晶亦精微科技股份有限公司高级总监蔡长益

《晶亦精微CMP在碳化硅衬底及器件应用》

北京晶亦精微科技股份有限公司高级总监蔡长益做了“晶亦精微CMP应用在碳化硅衬底及器件”的主题报告，分享了SiC CMP设备、GEGV、SiC衬底CMP、SiC器件CMP等进展。涉及碳化硅磨抛设备与技术迭代、二氧化铈slurry研磨、8”SiCCMP晶圆形貌及温控，不同磨料对SiC衬底CMP的影响、GEGV SiC ECMP解决方案等。当前，6/8英寸碳化硅换挡提速进行时，衬底尺寸扩大、成本下降、应用扩展、器件复杂程度上升。报告指出，长晶速度慢，外延生长速度慢，切片、减薄加工难，磨抛、CMP加工难，缺陷去除工艺难，制造成本居高不下是碳化硅整线技术难点。CMP成本占4H-SiC衬底总加工成本的30%~40%，报告认为相比传统化学机械研磨（CMP），化学或者物理方法辅助的新型化学机械抛光方法正在研究中，可实现更高的研磨速率和表面平坦度，是未来三代半导体全局平坦化的方向。晶亦精微专注于平坦化设备，工艺，材料 等技术研发，经过多年的产业积累与技术提升，现已成为主流CMP设备供应商8英寸CMP设备已于中芯国际实现整线CMP工艺全覆盖，唯一实现置换率超过100%。截至2024年5月出货150多台，其中台湾地区累计出货30台，新加坡出货2台。12英寸CMP设备独创的传送模式降低晶圆等待时间，每小时产能提升5~10%。

飞锃半导体（上海）有限公司产品市场副总监袁建

《碳化硅器件在新能源市场的应用及展望》

飞锃半导体（上海）有限公司产品市场副总监袁建做了“碳化硅器件在新能源市场的应用及展望”的主题报告，分享了碳化硅在新能源市场的应用情况及市场展望及相关碳化硅产品方案。当前新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。报告指出，光伏储能市场方面，功率密度需求提升，MPPT开关管有由IGBT切换成SiC的机会。储能系统有双向功率变换需求，SiC机会增加。逆变侧混合模块（IGBT+SIC Diode）占比逐步提升。新能源汽车市场方面，800V平台市场渗透率将稳步提升，预计在2025年占比达到13%，这将进一步增加碳化硅的应用规模；当前OBC市场以6.6KW为主，预计到2025年6.6KW仍然占比在57.2%；11KW OBC市场占比将逐年提升，市场占比将从9%增加到18%；新能源汽车市场是碳化硅应用的主要增量市场，预计占比在75%以上，并在未来进一步提升。报告分享了飞锃半导体碳化硅MOSFET产品方案，以及第三代750V/55mohm碳化硅MOSFET、第三代1200V/40mohm碳化硅MOSFET，以及Gen4 1200V单芯大电流碳化硅二极管、Gen3+ 1200V 20/30A碳化硅二极管等。

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