半导体产业网获悉：1月17日，高性能半导体材料科研成果转化框架协议签约仪式在青岛天安科创城举行。仪式上，青岛大商电子有限公司总经理苟钊迪与国家高速列车技术创新中心副主任刘韶庆签署了合作协议。

根据协议，双方将共同推动高性能半导体材料关键技术研发与成果转化，开发具有自主知识产权的高纯度焊接复合材料及其钎焊技术体系，为第三代半导体高可靠封装技术的国产化提供科学基础和技术支撑，保障半导体等相关先进制造业的产业链安全和高质量发展具有重要意义。

据了解，第三代半导体可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是轨道交通、新能源汽车、5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”产业的重要材料，同时也是世界各国半导体研究领域的热点。其在国防、航空、航天、石油、是有勘探、光存储等领域有重要应用场景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照片、智能电网等众多战略行业，可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上。

国家高速列车技术创新中心是科技部和国资委联合批复的第一个国家级技术创新中心，多年来始终立足于轨道交通产业研发与应用，积极组织推动“政产学研用”相结合的科技成果转移转化与产业培育，致力于为行业发展提供源头技术供给、为地方经济发展献策助力。

青岛大商电子有限公司是我区专注于第三代半导体封装用活性金属钎焊 (AMB) 陶瓷基板的研发生产，具备活性金属钎焊 (AMB) 自主正向研发实力与大规模量产经验的本土企业。通过本次合作，双方将进一步加强产学研用深度融合，引导创新要素和产业要素高效对接，促进人才培养、技术研发和协同创新，推进重大成果产业化，赋能行业创新发展。