直播预告| 强芯沙龙第二期来袭！专家名企聚焦氮化镓功率半导体材料与器件！

第三代半导体产业

以服务产业、引领行业、传递企业声音的为自己的使命，促进产学研用合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，关注跟踪和培育拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的优势企业，推动第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。

       半导体产业网讯：好消息！强芯沙龙第二期来袭！云端论剑·创“芯”之道——第三代半导体产业发展策略沙龙将于6月22日（本周三）15:00开播，本期将聚焦：氮化镓功率半导体材料与器件！

  近年来随着国内半导体产业新建产能及扩产速度加快，叠加新冠疫情造成物流运输服务受阻导致国外材料供应、零部件交期不断延迟，为我国一些具有高成长潜力的国内半导体材料零部件企业带来国产替代的机会。然而，我国半导体材料零部件产业作为进行技术追赶的后发产业，除了要弥补在基础工艺研究投入和专业人才培养上的差距外，由于半导体材料零部件行业本身的特点，与国外领先企业竞争时还面临诸多挑战。当前，国际龙头企业大力完善产业布局，强化竞争优势，沿产业链上下游延伸趋势日益明显，全产业链布局进一步提升了其竞争优势。在这种形势下，国内企业如何破局是需要国内产业界必须思考和面对的问题。

》》》第一期好评如潮

  强芯沙龙活动，是由半导体产业网策划主办，主要邀请第三代半导体产业链条“产学研用资”多方高层代表参与云端对话，把脉产业发展现状，寻“芯”问道，促进合作！强芯沙龙的初衷也是为大家行业提供一个有益的交流平台，希望通过一期期的有益探讨，能为业界带来更多有价值的信息。

       强芯沙龙第一期：碳化硅功率器件与工艺专场得到了烁科晶体李斌总经理，泰科天润董事长、总经理陈彤博士，国宏中宇赵然总经理，中车科学家刘国友博士，中科创星董事总经理卢小保先生的大力支持，会后我们回访收到了诸多反馈，纷纷点赞直播参与嘉宾资深，讨论的问题和嘉宾回答都十分到位！经过嘉宾讨论分享，更能加速观众行业认知，传递行业真实声音，反应产业真实现状，产业链上下游间的信息传播更为实际、更贴近市场。

       观众涵盖第三代半导体碳化硅产业链企业、知名高校院所、投融资机构、基金公司、学生、媒体等。有投资人反馈，强芯沙龙嘉宾和主持人讨论的问题很深入，主持人问的和嘉宾回答的都十分精彩，比去有些企业现场尽调还要好。有研究机构分析师表示：“强芯沙龙太赞了，我要再去看回看，嘉宾分享的信息很有价值，省的跑去企业调研了。>>>第一期点击回看

》》》第二期如约而至

  6月22日（周三）15：00-17:00，强芯沙龙第二期聚焦：氮化镓功率半导体材料与器件！本期特别邀请到：北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波教授，香港科技大学讲座教授(Chair Professor)陈敬教授，晶湛半导体创始人、董事长兼总裁程凯博士，英诺赛科产品应用副总经理陈钰林先生，并邀请第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰博士担任特邀嘉宾主持人。

  值得关注的是，ISPSD 2022于5月22-25日在加拿大温哥华举行。功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD）是功率半导体器件和集成电路领域在国际上最重要、影响力最强的顶级学术会议，它被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外半导体产业界龙头企业和全球知名学术科研机构争相发表和展示功率半导体前沿技术重要成果的舞台。近几年来，随着政府支持和社会投入力度的不断加大，我国在功率半导体领域取得可喜的进步，并得到国际同行的认可。陈敬教授（Kevin J. Chen）担任ISPSD 2022大会副主席。同时还将担任下一届ISPSD 2023大会主席。届时，陈敬教授将分享《从ISPSD2022 看氮化镓功率电子的发展》为题的引言报告。

》》》本期针对性讨论问题：

  1、GaN HEMT不同技术路线的分析，各自优缺点，适用于不同的可靠性要求、成本控制？

  2、GaN功率器件不同应用市场的发展情况，GaN的效率与Si比有多少提升，成本方面相差多少？目前在快充、数据中心的应用情况如何？

  3、GaN功率器件在手机和新能源汽车领域的应用前景如何？GaN在OBC DCDC上是否有性能和系统成本优势？

  4、台积电在发展Si基GaN代工模式并不断扩充产能，国内还是以IDM为主，哪种方式更适合国内未来发展？目前6英寸和8英寸的综合成本和性能如何，12英寸发展的时间表？

  5、GaN-on-SOI、GaN on GaN、GaN IC等技术发展趋势和产业化可能性的判断？

       6、GaN 功率器件最新技术进展，相较于Si和SiC目前来看，竞争力对比；价格和成本进展；目前制约的因素是哪些？Si上GaN在射频领域的推进情况和难点；相较于传统的平面结构，垂直结构的前景.......等等。（直播间可在线向嘉宾提问）

》》》本期嘉宾简介：

》》引言报告嘉宾：

陈敬教授

香港科技大学讲席教授

  陈敬教授1988年获得北京大学学士学位，并通过CUSPEA项目于1993年获得美国马里兰大学帕克分校博士学位。他的行业实践经历包括在日本NTT LSI实验室和美国安捷伦科技从事化合物半导体高速器件技术研发工作。

  陈敬教授自2000年起在香港科技大学任教，现为电子和计算机工程系正教授。他曾在国际期刊和会议论文集中发表500余篇论文，其中包括国际电子器件会议IEDM发表28次. 在GaN电子器件技术方面曾获得11项美国专利授权。他所带领的团队目前的研究重点在于开发用于功率电子、射频/微波及耐恶劣环境电子等方面的GaN器件及集成电路技术。

  他是IEEE Fellow， 2013年陈敬教授曾担任《IEEE电子器件汇刊》“GaN电子器件”特刊的特邀编委。此外，他还担任《IEEE电子器件汇刊》、《IEEE微波理论与技术汇刊》及《日本应用物理杂志》的编辑。陈敬教授曾于2019年担任在上海举办的IEEE第31届国际功率半导体器件和集成电路研讨会ISPSD2019的技术委员会主席，并将于2023年在深圳举行的第35届ISPSD2023担任大会主席。

》》对话嘉宾：

沈波 教授

北京大学理学部副主任、

宽禁带半导体研究中心主任、教授

  沈波教授，现任北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员。

  1995年迄今一直从事III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 宽禁带半导体缺陷物理、GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持和和作为核心成员参加国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项国家级科研课题。迄今发表学术论文300多篇，论文被引用4000多次，获得/申请国家发明专利50多件，先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。部分研究成果实现了产业化应用，并产生了显著的经济和社会效益。

》》对话嘉宾：

程凯博士

晶湛半导体创始人、董事长兼总裁

  程凯博士，现任苏州晶湛半导体有限公司董事长、总裁,从事科研工作近20年。2002年毕业于清华大学电子工程系,获本科和硕士学位,2003年留学比利时,进入鲁汶大学和欧洲微电子研究中心(imec)联合培养博士项目。2007年获得中国国家优秀自费留学生奖学金,2008年获得电子工程博士学位。随后在imec获得永久职位,任资深科学家,致力于氮化镓外延材料、器件设计等方面的研发。在国外期间,共申请国际发明专利15项,已授权8项,共发表论文108篇,文章引用过千次。

  程凯在业界第一次制备出6英寸和8英寸硅上氮化镓电力电子材料，是业界公认的硅上氮化镓外延技术的开拓者之一。2012年3月，程凯选择回国创业，创立晶湛半导体，致力于关键宽禁带半导体--氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。晶湛半导体也是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商。拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。目前已在国内外累计申请近400项专利，其中已获得超100项专利授权。在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权。

  2014年底，晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内氮化镓产业的空白。2021年9月，晶湛半导体又成功全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了业内广泛关注。2022年4月8日，苏州晶湛半导体有限公司发布了其面向微显示产业应用的Full Color GaN ®全彩系列外延片产品，并将LED外延片尺寸成功拓展至300mm。

》》对话嘉宾：

陈钰林先生

英诺赛科产品应用副总经理

  陈钰林先生，现任英诺赛科产品应用副总经理，曾供职于美国EPC公司7年，属于国内第一批推广氮化镓的技术人才，拥有17年电力电子半导体行业经验和11年氮化镓器件应用及市场推广经验。在氮化镓技术与应用等方面有着丰富的经验和敏锐的市场洞察力，已与国内多家重大客户建立了深入的合作伙伴关系。

  英诺赛科科技有限公司作为国内第三代半导体硅基氮化镓领域头部企业，成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，现拥有珠海、苏州、深圳三大公司地点。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺赛科快充产品首次进入一线笔电厂商供应链。与此同时，其苏州8英寸晶圆厂已步入量产阶段，IDM模式优势将在GaN产业高速发展中逐步显现。

  目前，英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力，主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，并被广泛应用于激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED灯照明驱动等领域。英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能已达到每月10000片，并将逐渐扩大至每月70000片以上。迄今为止，英诺赛科器件出货量已超百万颗，而因器件性能或可靠性问题的返厂率为0%。

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今年是山西省将2022年确定为“创新生态建设提质年”，并重点实施八大提质行动，启动国家第三代半导体技术创新中心（山西）建设。八大举措分别为聚焦高水平科技供给、聚焦高起点平台培育、聚焦高质量市场主体倍增、聚焦高价值成果推广、聚焦高标准政策创设、聚焦高素质人才培育、聚焦高品质民生服务、聚焦高层次科技展会。恰逢其时，第十七届全国MOCVD学术会议将于8月16-19日在山西太原召开，会议征文同步启动！

本届大会是在国家科学技术部指导下，由中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办，半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，山西大学、中北大学、山西师范大学等单位协办支持。》》》点击查看详情