半导体产业网获悉：近日，中科潞安在大功率深紫外芯片产品研发方面获得突破性进展。
中科潞安相关负责人表示，自公司成立之初，公司即着手布局大功率LED芯片的研发生产，经过技术人员的不懈努力及协同攻关，已成功研制出光功率输出在120mW以上的大功率芯片，该芯片无论是研发性能还是量产水平，均走在行业前列，可更好地满足UVC-LED市场的多元化需求。
中科潞安致力于打造深紫外LED行业领军企业，将技术革新作为企业生存和发展的内驱力，申报了十余项国家级、省市级科技项目。特别是在2020年立项的“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目的支持下，大功率芯片关键技术取得了创新突破。
中科潞安45*45mil大功率LED芯片，在外延结构优化、初始版图设计、电极结构设计、电极欧姆接触验证及多工段的工艺优化等方面，均做了大量的实验验证及技术攻关，尤其较为关键的p型AlGaN和芯片电极经持续优化、改进，实现了光电性能的大幅跃升。
中科潞安45*45mil UVC-LED
该大功率LED芯片，经国内权威第三方检测机构检测结果显示，在注入电流350mA的条件下，输出光功率可达88.39mW，工作电压5.71V；在注入电流500mA的条件下，输出光功率可达122.82mW，工作电压5.90V；饱和电流可达1860mA。该水平在国内市场首屈一指，可以实现稳定量产。
大功率深紫外芯片目前主要应用于静态水模组、流动水杀菌等对杀菌性能和效果要求较高的场景。与此同时，中科潞安积极响应客户需求，不断升级改造，加快拓展应用领域，芯片功率和效率的提升将会推动未来深紫外LED产业的快速发展。（中科潞安）
