据媒体报道，近日，三安光电董事、副总经理林志东在受访时表示，三安光电正在加快发展第三代化合物半导体产业，今年三安光电砷化镓射频平均稼动率创新高，高峰时达到95%，公司已完成月产能2万片的扩建。

据悉，三安光电与意法半导体于去年在重庆共同设立了安意法半导体有限公司，主要从事碳化硅外延、芯片的生产和销售，三安光电方面持有合资公司51%股权。三安意法半导体项目总投资约300亿元，计划建设一个技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。

对于重庆的碳化硅项目进度，林志东透露：“我们现在设备进场，然后做工艺验证，因为它是国内中西部地区第一条完整的8英寸碳化硅产线，从安装到测试，到规模量产，我们计划明年通线并开始小规模量产。”

据了解，三安光电是国内唯一具备大规模量产氮化镓/砷化镓射频芯片制造平台，是国内首家SAW（表面声波滤波器）滤波器垂直产业链整合制造平台，以及是全球第三家、中国第一家第三代碳化硅6英寸、8英寸功率芯片垂直产业链整合制造平台。