大失配外延技术在氮化物第三代半导体材料中的应用显著提升外延质量，推动材料和器件的产业化应用，进一步拓展其在各个领域的应用前景。 

第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）近日在苏州召开。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。 

开幕大会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长、北京大学理学部副主任、特聘教授沈波带来了“基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件”的主题报告，分享了蓝宝石衬底上AlN的外延生长及其器件研制、Si衬底上GaN的外延生长及其器件研制的最新研究进展。

氮化物半导体是“新基建”和“中国制造2025”的核心支撑技术之一，对国家的产业升级、节能减排、国防安全具有战略意义。全球高技术竞争的关键领域之一。大失配异质外延是氮化物半导体的主流制备技术。从用电量和能耗角度审视，GaN未来在超算供电中类似SiC在电动汽车中的应用；SiC将更多面向新能源电网市场，而GaN将在智能计算供电中大展身手。 

当前，氮化物宽禁代半导体的材料和器件研究依然面临一系列关键科学技术问题，需继续开展深入、系统的研究工作。报告显示，研究创新发展了一种蓝宝石上AlN外延方法，NPAT衬底上AlN外延层位错腐蚀坑密度降至~104 cm-2；在此基础上研制出高性能的倒装结构和垂直结构深紫外LED器件。发明数种Si衬底上GaN外延方法，制备出15.8 µm连续生长无裂纹GaN外延薄膜，室温电子迁移率达1210 cm2/V.s，在此基础上制备出多种高质量异质结构和功率电子器件及集成电路。研发成果支撑了华为、京东方等头部企业的产品开发， 并实现了多种高质量外延材料的规模化生产。

（根据现场资料整理，仅供参考）