研究背景

氮化镓（GaN）蓝光激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、易于单片集成等优点。随着在激光显示、航天航空、工业加工等领域的应用需求不断增加，对激光器的功率密度、寿命的要求不断提升。然而，高功率密度势必会导致激光器的老化问题加剧，使其有效工作时长大幅降低。因此，需要了解大功率GaN激光器的老化机制，开发新的抗老化技术，以提高激光器的效率与寿命。

近日，厦门大学康俊勇教授课题组与三安光电股份有限公司合作，系统研究了瓦级大功率GaN激光器的老化物理机制，从而设计并制备了抗老化芯片结构，减缓老化过程，大幅提高器件寿命。该工作以封底文章形式发表于Advanced Photonics Research （图1）。

图1. 文章封面

研究内容

此前，受限于蓝光GaN激光器材料及器件技术水平，激光器的老化研究主要集中在小功率（毫瓦级）器件。伴随着瓦级激光器的应用需求急速增加，大功率、长寿命、高可靠性的蓝光激光器是目前的研究热点与技术应用方向，但相关的老化研究仍是空白。早期基于毫瓦级激光器的研究文献表明有源区缺陷增加和腔面老化可能是导致激光器老化的主要因素。随着激光器功率密度的提升，其面临的老化问题就更加严重。

针对上述问题，本研究团队制备大功率蓝光GaN单管激光器并基于该器件进行了老化测试分析（图2）。首次发现谐振腔面元素扩散是导致大功率激光器老化的关键因素，此因素在毫瓦级激光器中并未发现。同时，团队对多种激光器老化因素进行了整合及分析，基于此梳理完善了大功率GaN蓝光激光器老化机制。

图2. 老化测试分析。a) 激光器前腔面示意图。b) 阴极荧光信号分布图。c, d) 镁、硅元素老化前后对比图。

围绕大功率激光器腔面元素扩散这一关键老化因素，团队提出新的抗老化技术，设计并制备了新型谐振腔结构。该技术经过5500小时的老化测试验证（图3），从1000小时起，老化抑制能力实现了近10倍的提升。基于5500小时老化数据，由常规线性老化模型预测该技术能够延长大功率GaN蓝光激光器寿命至25000小时；由温度相关指数衰减模型预测器件寿命可超20000小时。

该工作对于提高大功率GaN蓝光激光器寿命提供新的研究思路。

图3. 抗老化新技术。a) 技术原理图。b) 效果对比图。c) 激光器寿命预测。

论文信息

High-Power GaN-based Blue Laser Diodes Degradation Investigation and Anti-aging Solution. Advanced Photonics Research, 2024, 2400119. <http://doi.org/10.1002/adpr.202400119>

该论文第一作者为厦门大学博士研究生张恩铭、三安光电曾越，通讯作者为厦门大学康俊勇教授、康闻宇副研究员。