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科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间开始给予了长期持续支持，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。

在中关村论坛上，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛举办，国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目成功签约，预计总投资近18亿元。顺义，一个在全国具有较强影响力的第三代半导体产业集聚区初见雏形。

在5月28日举办的2023中关村论坛平行论坛北京（国际）第三代半导体创新发展论坛上，北京市顺义区面向全球推介第三代半导体产业发

与第一代半导体（如硅、锗）和第二代半导体（如砷化镓、锑化铟）材料相比，以氧化锌（ZnO）、氮化镓（GaN）、硫化镉（CdS）、碳

历时一年半，遵循第三代半导体产业技术创新战略联盟CASAS技术报告制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见等流程，技

5月19日，保定第三代半导体产业技术研究院（以下简称研究院）在保定市召开筹委会暨第一届管理委员会第一次会议，会议的召开标志

2023年经济复苏力度逐月加快，消费增速回升，制造业投资、基础设施投资均保持较高增速，经济发展逐步向高端制造转型，伴随着在新

近日，2023中国（宁波）第四届第三代半导体产业发展论坛在宁波国际会议中心举行，本次论坛通过深入研讨半导体技术应用发展趋势，

自半导体诞生以来，半导体材料便不断升级。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电

集微网报道 4月19日-21日，2023中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会在武汉光谷举行。在开幕式上，第三代半导体产业技术创

EDA贯穿集成电路（IC）产业设计、制造、封测等各个环节，在芯片产业中不可或缺，不同应用场景下器件结构性、设计流程、仿真验证

2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛（CASICON 2023）尊敬的各有关单位：第三代半导体是实现双碳目标、东数西

3月27日上午，市重点工程泰科天润总部项目举行开工奠基仪式。泰科天润总部项目位于中关村顺义园第三代半导体产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。项目建成后，将有效带动顺义区第三代半导体产业发展。

3月15日，火炬工业集团与深圳爱科思达科技有限公司（下称爱科思达）举行智能电源设备研发制造基地项目签约仪式。爱科思达公司成

提前布局、抓住先机，北京经开区抢占第三代半导体制高点

智能驾驶时代下第三代半导体材料的技术进步给电动车电驱电控系统和电源系统带来的新的技术进展。

第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟

2月24日，2021年度湖南省科学技术奖励大会召开。会议表彰了2021年度湖南省科学技术奖，共有授奖项目（团队、人选）293项，其中杰

?第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）通过在全球范围内集成和共享创新资源，构建以市场为牵引，研发、产业、资本深度融合

第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟