尊龙凯时·(中国区)人生就是搏!

这个问题促使香港科技大学和中国其他三所机构的16名研究人员组成的团队不断思考。经过多年努力，他们终于成功制造出一种晶体管，他们称之为混合场效应晶体管（HyFET）。

GaN技术正处于一个充满机遇的阶段，其发展前景十分广阔。尽管相较于硅或GaAs，GaN仍是一项相对年轻的技术，但其进步速度之快令人

太原理工大学周兵课题组和武汉大学袁超课题组合作，先后在国际权威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，发表研究论文。

据中国科学院微电子研究所消息，近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延

2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga

得益于高功率、高频率和高温环境下的众多卓越性能，氮化镓功率电子器件技术在具有广阔的发展前景。技术发展具有持续的创新和应用

半导体产业网获悉：11月9日，广东致能科技有限公司（以下简称致能科技）完成首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台。在满足1200V系

半导体产业网 2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用

随着5G、碳中和、AI时代的来临，芯片市场需求激增，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体市场

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正迎来广阔的发展前景，成为全球的机会和关注焦点。碳化硅作为第三代半导体产业发展

新科技时代背景下，人工智能、能源环保、自动驾驶等需求驱动下，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料迎来广阔的发展前景

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之

科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间开始给予了长期持续支持，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防

与第一代半导体（如硅、锗）和第二代半导体（如砷化镓、锑化铟）材料相比，以氧化锌（ZnO）、氮化镓（GaN）、硫化镉（CdS）、碳