尊龙凯时·(中国区)人生就是搏!

从兰州大学获悉，该校物理科学与技术学院联合中国科学技术大学组成的研究团队，在宽禁带半导体光电探测领域取得重要进展，成功开

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术.

沙特阿卜杜拉国王科技大学先进半导体实验室（Advanced Semiconductor Laboratory）在超宽禁带半导体氮化铝（AlN）肖特基势垒二极管（SBDs）性能优化上取得重要进展。

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。中国科学院上海微系统与信息技术研究所游天桂受邀将出席论坛，并带来《基于离子束剥离与转移技术的宽禁带半导体异质集成材料与器件》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心，原技术总师史冬梅受邀将出席论坛，并带来《氧化镓和金刚石超宽禁带半导体技术发展态势》的主题报告，敬请关注！

【项目概况】超宽禁带半导体相关设备采购招标项目的潜在投标人应在湖北省政府采购电子交易数据汇聚平台（网址：http://czt.hube

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。

近日，半导体照明联合创新国家重点实验室官网正式官宣宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室重组获批，但目前官网页面的

进入第四季度以来，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目正开足马力，抢抓施工

镓仁半导体在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

中国科学院上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。

期间，“超宽禁带半导体技术 I”分会上，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告，讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题，分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。

论坛期间的“功率模块与电源技术应用峰会”上，天津大学教授薛凌霄、小鹏汽车功率系统总监陈皓、瑞萨半导体宽禁带半导体高级总监严启南、易能时代科技有限公司董事长兼CEO苏昕、纳微半导体应用总监李宾、长城电源技术有限公司深圳研发中心副总经理蔡磊、浙江大学副研究员闫海东、派恩杰半导体(浙江)有限公司应用主任工程师雷洋等专家们带来精彩报告，共同探讨功率模块与电源技术应用的最新进展。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室许福军、沈波团队创新

西安电子科技大学副校长、教授张进成将出席论坛，并将带来《高功率宽禁带半导体射频器件研究进展》的大会报告。

北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波将出席论坛，并将带来《基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件》的大会报告，敬请期待！

IFWS的重要分会之一的“超宽禁带半导体技术分会I”最新报告日程正式出炉。分会将于11月20日在苏州国际博览中心G馆 • G106召开，诚挚邀请业界同仁同聚！

研究背景-Ga₂O₃ 作为新兴超宽禁带半导体材料，具有约 4.9 eV 的准直接带隙，其光响应峰值正好落在日盲紫外波段，是制备日盲紫

2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波受邀将出席会议，并带来《AlN单晶衬底和外延薄膜的制备》的大会主旨报告