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国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为半导体器件、半导体器件的元胞结构及掩模板的专利，授权公告号

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

2025年4月23-25日，九峰山论坛将在武汉光谷科技会展中心再次启航！

国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为半导体器件的处理方法及半导体器件的专利，公开号CN 118888436

富特科技（301607）10月22日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年10月22日接受2家机构调研，机构类型为其他。投资者关系活动

国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件结构及其制备方法的专利，公开号 CN 118748202

中科院金属研究所的信息显示，在山西大学韩拯教授领衔下，中国科学院金属研究所李秀艳研究员、辽宁材料实验室王汉文副研究员、中

4月26-28日，2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）将于成都召开。会议在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略

功率半导体器件与集成电路是电能转换与控制的核心，主要用于电子系统中电能的变频、变压、变流、功率放大、功率管理等。功率半导

香港科技大学（HKUST）的研究人员开发了一种新的集成技术，用于高效集成III-V族化合物半导体器件和硅，为低成本、大容量、高速度

2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为构件、晶体管器件、功率器件及制造构件的方法，公开号C

据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为一种半导体器件结构及其制备方法和应用，公开号CN117293183A，申请日期为2023年9月

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

2023化合物半导体器件与封装技术论坛将于10月12-13日在深圳召开。

近日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通

近日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通

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